• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69821
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
1N5404K ST Rect, 400V, 3A Diotec Semiconductor DO-204AC, DO-15, Axial 3A Standard Through Hole DO15/DO204AC Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 400V 1.1V @ 3A 400V 1.5µs -50°C ~ 175°C
MURH10040R DIODE GEN PURP 400V 100A D-67 GeneSiC Semiconductor D-67 100A Standard, Reverse Polarity Chassis Mount D-67 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.3V @ 100A 400V 90ns
BAT5403WE6327HTSA1 DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2 Infineon Technologies SC-76, SOD-323 200mA (DC) Schottky Surface Mount PG-SOD323-2 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 2µA @ 25V 10pF @ 1V, 1MHz 800mV @ 100mA 30V 5ns 150°C (Max)
JANTX1N6631U DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF Microsemi Corporation SQ-MELF, E 1.4A Standard Surface Mount D-5B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4µA @ 1000V 1.4V @ 1.4A 1000V 60ns -65°C ~ 150°C Military, MIL-PRF-19500/590
RB085B-40GTL DIODE SCHOTTKY SSOP3 Rohm Semiconductor
DAP202UMTL DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F Rohm Semiconductor SC-85 Standard Surface Mount UMD3F Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 100nA @ 70V 1.2V @ 100mA 80V 4ns 150°C (Max) 1 Pair Common Anode 100mA
STPS30L30DJF-TR DIODE SCHOTTKY 30V 30A POWERFLAT STMicroelectronics 8-PowerVDFN 30A Schottky Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 750µA @ 30V 510mV @ 30A 30V 150°C (Max)
SR009HA0G DIODE SCHOTTKY 90V 500MA DO204AL Taiwan Semiconductor Corporation DO-204AL, DO-41, Axial 500mA Schottky Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 90V 65pF @ 4V, 1MHz 850mV @ 500mA 90V -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
ES1PD-M3/85A DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-220AA 1A Standard Surface Mount DO-220AA (SMP) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 200V 10pF @ 4V, 1MHz 920mV @ 1A 200V 25ns -55°C ~ 150°C eSMP®
GP10-4003-E3/54 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-204AL (DO-41) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 200V
VS-6ESH01HM3/86A DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-277, 3-PowerDFN 6A Standard Surface Mount TO-277A (SMPC) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 100V 940mV @ 6A 100V 22ns -60°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
ESH3DHE3/57T DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AB, SMC 3A Standard Surface Mount DO-214AB (SMC) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 200V 900mV @ 3A 200V 40ns -55°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101
VS-6CWQ03FNTRRPBF DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V DPAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schottky Surface Mount D-PAK (TO-252AA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 30V 350mV @ 3A 30V -40°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 3.5A
VS-10ETF04STRL-M3 DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 10A Standard Surface Mount TO-263AB (D²PAK) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 400V 1.2V @ 10A 400V 200ns -40°C ~ 150°C
VS-43CTQ100GPBF DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-220-3 Schottky Through Hole TO-220-3 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 100V 980mV @ 40A 100V 175°C (Max) 1 Pair Common Cathode 20A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.

В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.

Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.