• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69821
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
ES1JWF-HF RECTIFIER SUPER FAST RECOVERY 60 Comchip Technology SOD-123F 1A Standard Surface Mount SOD-123F Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 600V 15pF @ 4V, 1MHz 1.68 V @ 1 A 600V 35ns -55°C ~ 150°C
ES2AA-13 DIODE GEN PURP 50V 2A SMA Diodes Incorporated DO-214AC, SMA 2A Standard Surface Mount SMA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 50V 25pF @ 4V, 1MHz 920mV @ 2A 50V 25ns -55°C ~ 150°C
JANTXV1N3912AR RECTIFIER Microchip Technology DO-203AB, DO-5, Stud 50A Standard Stud Mount DO-5 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.4V @ 50A 300V 150ns -65°C ~ 150°C Military, MIL-PRF-19500/308
SS15-LTP DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC Micro Commercial Co DO-214AC, SMA 1A Schottky Surface Mount DO-214AC (SMA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 50V 45pF @ 4V, 1MHz 700mV @ 1A 50V -55°C ~ 150°C
LSM340GE3/TR13 DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO215AB Microsemi Corporation DO-215AB, SMC Gull Wing 3A Schottky Surface Mount DO-215AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 40V 520mV @ 3A 40V -55°C ~ 150°C
1N6081US DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF Microsemi Corporation SQ-MELF, G 2A Standard Surface Mount G-MELF (D-5C) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 150V 1.5V @ 37.7A 150V 30ns -65°C ~ 155°C
NRVUS360VBT3G DIODE GEN PURP 600V 3A SMB onsemi DO-214AA, SMB 3A Standard Surface Mount SMB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3µA @ 600V 1.25V @ 3A 600V 75ns -65°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101
1N456ATR DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35 onsemi DO-204AH, DO-35, Axial 500mA Standard Through Hole DO-35 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25nA @ 25V 1V @ 100mA 30V 175°C (Max)
SBRD81035CTLT4G DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK onsemi TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schottky Surface Mount DPAK Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 35V 470mV @ 5A 35V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 5A
CD411699C DIODE MODULE 1.6KV 100A Powerex Inc. Module Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 8mA @ 1600V 1600V -40°C ~ 150°C 1 Pair Series Connection 100A
BAT64-06WH6327 SCHOTTKY DIODE Rochester Electronics, LLC
HER3004PT C0G DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247AD Taiwan Semiconductor Corporation TO-247-3 Standard Through Hole TO-247AD (TO-3P) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 300V 1V @ 15A 300V 50ns -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 30A
UJ3D1210K2 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3, UnitedSiC TO-247-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 110µA @ 1200V 510pF @ 1V, 1MHz 1.6V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
VBT3080C-E3/8W DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Schottky Surface Mount TO-263AB (D²PAK) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 700µA @ 80V 820mV @ 15A 80V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 15A TMBS®
MBRB15H60CTHE3_A/P DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO263AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Schottky Surface Mount TO-263AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 60V 730mV @ 7.5A 60V -65°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 7.5A Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.

В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.

Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.