• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69821
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
FR104B-G RECTIFIER FAST RECOVERY 400V 1A Comchip Technology DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-41 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 400V 25pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 1A 400V 150ns -55°C ~ 150°C
SBR10B45P5-7D DIODE SBR 45V 10A POWERDI5 Diodes Incorporated PowerDI™ 5 10A Super Barrier Surface Mount PowerDI™ 5 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 380µA @ 45V 550mV @ 10A 45V -55°C ~ 150°C SBR®
S1KFP RECTIFIER DIODE, 1.2A, 800V Fairchild Semiconductor SOD-123H 1.2A Standard Surface Mount SOD-123HE Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 800V 18pF @ 0V, 1MHz 1.3V @ 1.2A 800V 1.5µs -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
UPS115U/TR7 DIODE SCHOTTKY 15V 1A POWERMITE Microchip Technology DO-216AA 1A Schottky Surface Mount Powermite Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10mA @ 15V 220mV @ 1A 15V -55°C ~ 150°C
MBRD1035CTLT4 DEVELOPMENT KITS/ACCESSORIES Rochester Electronics, LLC TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schottky Surface Mount DPAK Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 35V 470mV @ 5A 35V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 5A SWITCHMODE™
S1KW80KA-5 DIODE GEN PURP 80KV 1.5A MODULE Semtech Corporation Module 1.5A Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 80000V 80V @ 1.5A 80000V 2µs -55°C ~ 150°C
MBRF10200 DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AC SMC Diode Solutions TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 10A Schottky Through Hole ITO-220AC Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 200V 950mV @ 10A 200V -55°C ~ 175°C
STTH5R06DJF-TR DIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT STMicroelectronics 8-PowerVDFN 5A Standard Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60µA @ 600V 2V @ 5A 600V 55ns 175°C (Max)
SR1503HA0G DIODE SCHOTTKY 30V 15A R-6 Taiwan Semiconductor Corporation R-6, Axial 15A Schottky Through Hole R-6 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 30V 550mV @ 15A 30V -50°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
SR104 A0G DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL Taiwan Semiconductor Corporation DO-204AL, DO-41, Axial 1A Schottky Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 40V 550mV @ 1A 40V -55°C ~ 125°C
MUR160AHR1G DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL Taiwan Semiconductor Corporation DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 600V 27pF @ 4V, 1MHz 1.25V @ 1A 600V 50ns -55°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101
RSFJLHRVG DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 500mA Standard Surface Mount Sub SMA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 600V 4pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 500mA 600V 250ns -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
MBR30150CTHC0G DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220 Taiwan Semiconductor Corporation TO-220-3 Schottky Through Hole TO-220AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 150V 1.02V @ 30A 150V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 30A Automotive, AEC-Q101
ES1ALHRQG DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 1A Standard Surface Mount Sub SMA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 50V 10pF @ 4V, 1MHz 950mV @ 1A 50V 35ns -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
1N4948GPHE3/54 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 1000V 15pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 1A 1000V 500ns -65°C ~ 175°C SUPERECTIFIER®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.

В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.

Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.