• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69821
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
CGRB202-G DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA Comchip Technology DO-214AA, SMB 2A Standard Surface Mount DO-214AA (SMB) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 100V 1.1V @ 2A 100V 150°C (Max)
ES2DWF-HF RECTIFIER SUPER FAST RECOVERY 20 Comchip Technology SOD-123F 2A Standard Surface Mount SOD-123F Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 200V 30pF @ 4V, 1MHz 1V @ 2A 200V 35ns -55°C ~ 150°C
CPW3-1700-S010B-WP DIODE SILICON 1.7KV 10A CHIP Cree/Wolfspeed Die 10A Silicon Carbide Schottky Surface Mount Sawn on foil No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1700V 880pF @ 0V, 1MHz 2V @ 10A 1700V 0ns -55°C ~ 175°C Z-Rec®
B0520LW-7 DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123 Diodes Incorporated SOD-123 500mA Schottky Surface Mount SOD-123 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250µA @ 20V 170pF @ 0V, 1MHz 385mV @ 500mA 20V -65°C ~ 125°C
MBRT40035RL DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER GeneSiC Semiconductor Three Tower Schottky Chassis Mount Three Tower Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3mA @ 35V 600mV @ 200A 35V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Anode 200A
D6025LCTP RECTIFIER 600V 25AMP TO-220L Littelfuse Inc. TO-220-3 Isolated Tab 15.9A Standard Through Hole ITO-220AB Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 600V 1.6V @ 15A 600V 4µs -40°C ~ 125°C Dxx25L
JANTX1N5420/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology B, Axial 3A Standard Through Hole B, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 600V 1.5V @ 9A 600V 400ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/411
BAS16-03WE6327 RECTIFIER DIODE, 0.25A, 80V Rochester Electronics, LLC
1SR154-400TE25A DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS Rohm Semiconductor DO-214AC, SMA 1A Standard Surface Mount PMDS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 400V 1.1V @ 1A 400V 150°C (Max)
1N4006GHA0G DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL Taiwan Semiconductor Corporation DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-204AL (DO-41) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 800V 10pF @ 4V, 1MHz 1V @ 1A 800V -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
ES2J R5G DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA Taiwan Semiconductor Corporation DO-214AA, SMB 2A Standard Surface Mount DO-214AA (SMB) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 600V 20pF @ 4V, 1MHz 1.7V @ 2A 600V 35ns -55°C ~ 150°C
SFAF1606G DIODE GEN PURP 400V 16A ITO220AC Taiwan Semiconductor Corporation TO-220-2 Full Pack 16A (DC) Standard Through Hole ITO-220AC Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 400V 100pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 16A 400V 35ns -55°C ~ 150°C
MP820-E3/54 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-204AL (DO-41) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 400V
MBRB2545CT-E3/45 DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO263AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Schottky Surface Mount TO-263AB (D²PAK) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200µA @ 45V 820mV @ 30A 45V -65°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 15A
VS-150K40A DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-205AA, DO-8, Stud 150A Standard Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 35mA @ 400V 1.33V @ 471A 400V -40°C ~ 200°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.

В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.

Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.