Найдено: 3
-
650V 20A SIC SBD
onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-2FS
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 20A (DC)
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
SIC DIODE 650V
onsemi
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 20A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 40µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
SIC DIODE 650V 40A
onsemi
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 20A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 40µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием: