• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: Twin Tower
• Тип корпуса: Twin Tower
• Тип диода: Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
• Прямое напряжение: 890mV @ 200A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5mA @ 100V
• Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
• Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A

• Производитель: Microsemi Corporation

• Производитель: Microsemi Corporation

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/444
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: DO-213AA
• Тип корпуса: DO-213AA
• Тип диода: Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
• Средний выпрямленный ток (Io): 33mA
• Прямое напряжение: 410mV @ 1mA
• Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• Ток утечки: 200nA @ 50V
• Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: DO-216AA
• Тип корпуса: Powermite 1 (DO216-AA)
• Тип диода: Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
• Средний выпрямленный ток (Io): 1A
• Прямое напряжение: 450mV @ 1A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 1mA @ 20V
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: LP4
• Тип корпуса: SP6
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
• Прямое напряжение: 2.5V @ 400A
• Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 572ns
• Ток утечки: 750µA @ 1700V
• Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
• Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 480A

• Производитель: Microsemi Corporation

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220 [K]
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
• Средний выпрямленный ток (Io): 15A
• Прямое напряжение: 2.5V @ 15A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 260ns
• Ток утечки: 250µA @ 1200V
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-247-2
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
• Средний выпрямленный ток (Io): 60A
• Прямое напряжение: 3V @ 60A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 255ns
• Ток утечки: 100µA @ 1000V
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: HALF-PAK
• Тип корпуса: HALF-PAK
• Тип диода: Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
• Средний выпрямленный ток (Io): 180A
• Прямое напряжение: 700mV @ 180A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 4mA @ 45V
• Емкость @ Vr, F: 7500pF @ 5V, 1MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/553
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
• Тип корпуса: DO-203AA (DO-4)
• Тип диода: Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
• Средний выпрямленный ток (Io): 22.5A
• Прямое напряжение: 680mV @ 50A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 1.5mA @ 45V
• Емкость @ Vr, F: 2000pF @ 5V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/260
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
• Тип корпуса: DO-203AA (DO-4)
• Тип диода: Standard, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
• Средний выпрямленный ток (Io): 12A
• Прямое напряжение: 1.35V @ 38A
• Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5µA @ 600V
• Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: DO-215AB, SMC Gull Wing
• Тип корпуса: DO-215AB
• Тип диода: Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
• Средний выпрямленный ток (Io): 8A
• Прямое напряжение: 520mV @ 8A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 2mA @ 35V
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C

• Производитель: Microsemi Corporation

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
• Прямое напряжение: 2.3V @ 30A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 290ns
• Ток утечки: 250µA @ 1000V
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
• Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
• Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 30A