- Производитель
- Средний выпрямленный ток (Io)
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AA, SMB
- Тип корпуса: DO-214AA
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 450mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: PowerDI™ 5
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 5A
- Прямое напряжение: 710mV @ 5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 100V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: E, Axial
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 880V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.4A
- Прямое напряжение: 1.4V @ 1.4A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 50ns
- Ток утечки: 2µA @ 880V
- Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
- Тип корпуса: DO-213AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 490mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 50µA @ 45V
- Емкость @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 125°C
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 36A (DC)
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/609
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: D, Axial
- Тип корпуса: D-5D
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
- Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
- Прямое напряжение: 1.2V @ 300mA
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4ns
- Ток утечки: 100nA @ 75V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/429
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SQ-MELF, A
- Тип корпуса: D-5A
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1.6V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 500ns
- Ток утечки: 500nA @ 1000V
- Емкость @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 690mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 60V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/118
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 180V
- Средний выпрямленный ток (Io): 200mA (DC)
- Прямое напряжение: 1V @ 100mA
- Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- Ток утечки: 25nA @ 180V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SQ-MELF, A
- Тип корпуса: D-5A
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1.6V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 150ns
- Ток утечки: 500nA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
- 10
- 15
- 50
- 100