Полупроводники, Диоды, Выпрямители Microchip Technology 1.75A

Найдено: 56
  • DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, E
    • Тип корпуса: D-5B
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 440V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 440V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 200V 1.75A A-MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: D-5A
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, E
    • Тип корпуса: D-5B
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 400V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, E
    • Тип корпуса: D-5B
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 220V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 1.2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 220V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, E
    • Тип корпуса: D-5B
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 220V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 220V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: E, Axial
    • Тип корпуса: E, Axial
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, E
    • Тип корпуса: D-5B
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: E, Axial
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 660V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 660V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, E
    • Тип корпуса: D-5B
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 440V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 440V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 45ns
    • Ток утечки: 2µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/578
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, E
    • Тип корпуса: D-5B
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 45ns
    • Ток утечки: 2µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 660V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 660V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: E, Axial
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 220V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 220V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: E, Axial
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 220V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 220V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 220V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 220V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: