- Производитель
- Средний выпрямленный ток (Io)
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS1N5417/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Standard | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.5V @ 9A | 200V | 150ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/411 | ||||
| JANTXV1N6774 | RECTIFIER | Microchip Technology | TO-257-3 | 15A (DC) | Standard | Through Hole | TO-257 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10 µA @ 800 mV | 300pF @ 5V, 1MHz | 1.15V @ 15A | 50V | 35ns | -65°C ~ 150°C | |||
| 1N6621/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | A, Axial | 1.2A | Standard | Through Hole | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 440V | 10pF @ 10V, 1MHz | 1.4V @ 1.2A | 440V | 30ns | -65°C ~ 150°C | ||||
| UFS520J/TR13 | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | Microchip Technology | DO-214AB, SMC | 5A | Standard | Surface Mount | DO-214AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 200V | 950mV @ 5A | 200V | 30ns | -55°C ~ 175°C | ||||
| JANS1N5420US | RECTIFIER DIODE | Microchip Technology | SQ-MELF, B | 3A | Standard | Surface Mount | B, SQ-MELF | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.5V @ 9A | 600V | 400ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/411 | ||||
| 1N3673A | STANDARD RECTIFIER | Microchip Technology | |||||||||||||||
| S3760 | DIODE GEN PURP 600V 85A DO5 | Microchip Technology | DO-203AB, DO-5, Stud | 85A | Standard | Stud Mount | DO-5 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 600V | 1.15V @ 200A | 600V | -65°C ~ 200°C | |||||
| S31150 | STD RECTIFIER | Microchip Technology | |||||||||||||||
| HSM330GE3/TR13 | DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMCG | Microchip Technology | |||||||||||||||
| 1N6766 | UFR,FRR | Microchip Technology | |||||||||||||||
| 1N1342A | STANDARD RECTIFIER | Microchip Technology | |||||||||||||||
| 1N5812 | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | Microchip Technology | DO-203AA, DO-4, Stud | 20A | Standard | Stud Mount | DO-203AA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 50V | 300pF @ 10V, 1MHz | 950mV @ 20A | 50V | 15ns | -65°C ~ 175°C | |||
| JANTX1N5419 | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Standard | Through Hole | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 500V | 1.5V @ 9A | 500V | 250ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/411 | ||||
| 1N1200AR | STANDARD RECTIFIER | Microchip Technology | |||||||||||||||
| 1N6903UTK3AS | POWER SCHOTTKY | Microchip Technology |
- 10
- 15
- 50
- 100