Найдено: 9
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.9V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.9V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1700V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A (DC)
    • Прямое напряжение: 2.1V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.97V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A (DC)
    • Прямое напряжение: 2.15V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1700V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.9V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: