Полупроводники, Диоды, Выпрямители Global Power Technology-GPT 21A (DC)

Найдено: 4
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 2-P
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 21A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 15A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 1700pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 21A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 475pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 21A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 21A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 690pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: