Полупроводники, Диоды, Выпрямители GeneSiC Semiconductor 100A
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 90ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 24mA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 11mA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 110ns
- Ток утечки: 25µA @ 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 110ns
- Ток утечки: 25µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 13mA @ 800V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 17mA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 11mA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 9mA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 17mA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 24mA @ 400V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 13mA @ 800V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100