-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ACDBA560-HF | DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC | Comchip Technology | DO-214AC, SMA | 5A (DC) | Schottky | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500µA @ 60V | 250pF @ 4V, 1MHz | 700mV @ 5A | 60V | -55°C ~ 125°C | Automotive, AEC-Q101 | |
CDBJFSC5650-G | DIODE, SIC STKY 5A 650V TO-220F | Comchip Technology | TO-220-2 Full Pack | 5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 650V | 430pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 5A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |
CDBA5200-HF | DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AC | Comchip Technology | DO-214AC, SMA | 5A (DC) | Schottky | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500µA @ 200V | 380pF @ 4V, 1MHz | 900mV @ 5A | 200V | -50°C ~ 175°C | ||
CDBA5150-G | DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO214AC | Comchip Technology | DO-214AC, SMA | 5A (DC) | Schottky | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500µA @ 150V | 380pF @ 4V, 1MHz | 870mV @ 5A | 150V | -50°C ~ 175°C | ||
ACGRC506-G | AUTOMOTIVE DIODE GEN PURP 800V 5 | Comchip Technology | DO-214AB, SMC | 5A (DC) | Standard | Surface Mount | DO-214AB (SMC) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 800V | 25pF @ 4V, 1MHz | 1.15V @ 5A | 800V | -55°C ~ 150°C | Automotive, AEC-Q101 | |
CDBA5200-G | DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AC | Comchip Technology | DO-214AC, SMA | 5A (DC) | Schottky | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500µA @ 200V | 380pF @ 4V, 1MHz | 900mV @ 5mA | 200V | -50°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100