Найдено: 3
-
650V 8A SIC SBD GEN1.5
onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D²PAK-2 (TO-263-2)
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10.1A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 40µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
650V 8A SIC SBD GEN1.5
onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D²PAK-2 (TO-263-2)
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10.1A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Ток утечки: 40µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
SIC DIODE TO220 650V
onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10.1A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 40µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием: