Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Ток утечки
Прямое напряжение
APTDF100H120G BRIDGE RECT 1P 1.2KV 120A SP4 Microsemi Corporation SP4 1.2kV 120A Single Phase Chassis Mount SP4 Standard -40°C ~ 175°C (TJ) 100µA @ 1200V 3V @ 100A
APTDF100H170G BRIDGE RECT 1P 1.7KV 120A SP4 Microsemi Corporation SP4 1.7kV 120A Single Phase Chassis Mount SP4 Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 250µA @ 1700V 2.5V @ 100A