Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Ток утечки
Прямое напряжение
MSDM100-18 BRIDGE RECT 3P 1.8KV 100A M2-1 Microsemi Corporation Module 1.8kV 100A Three Phase Chassis Mount M2-1 Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 500µA @ 1800V 1.9V @ 300A
MSDM100-16 BRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A M2-1 Microsemi Corporation Module 1.6kV 100A Three Phase Chassis Mount M2-1 Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 500µA @ 1600V 1.9V @ 300A
MSDM100-12 BRIDGE RECT 3P 1.2KV 100A M2-1 Microsemi Corporation Module 1.2kV 100A Three Phase Chassis Mount M2-1 Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 500µA @ 1200V 1.9V @ 300A
MSDM100-08 BRIDGE RECT 3P 800V 100A M2-1 Microsemi Corporation Module 800V 100A Three Phase Chassis Mount M2-1 Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 500µA @ 800V 1.9V @ 300A