Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Ток утечки
Прямое напряжение
NTE168 R-SI BRIDGE 400V 2A NTE Electronics, Inc 4-SIP 400V 2A Single Phase Through Hole 4-SIP Standard -55°C ~ 165°C (TJ) 10µA @ 400V 1.1V @ 2A
NTE166 R-SI BRIDGE 100V 2A NTE Electronics, Inc 4-SIP 100V 2A Single Phase Through Hole 4-SIP Standard -55°C ~ 165°C (TJ) 10µA @ 100V 1.1V @ 2A
NTE169 R-SI BRIDGE 600V 2A NTE Electronics, Inc 4-SIP 600V 2A Single Phase Through Hole 4-SIP Standard -55°C ~ 165°C (TJ) 10µA @ 600V 1.1V @ 2A
NTE170 R-SI BRIDGE 1000V 2A NTE Electronics, Inc 4-SIP 1000V 2A Single Phase Through Hole 4-SIP Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 1000V 1.1V @ 2A
NTE167 R-SI BRIDGE 200V 2A NTE Electronics, Inc 4-SIP 200V 2A Single Phase Through Hole 4-SIP Standard -55°C ~ 165°C (TJ) 10µA @ 200V 1.1V @ 2A