Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Ток утечки
Прямое напряжение
VS-1KAB100E BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.2A D-38 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-Square, D-38 1kV 1.2A Single Phase Through Hole D-38 Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 1000V 1.1V @ 1.2A
VS-1KAB20E BRIDGE RECT 1P 200V 1.2A D-38 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-Square, D-38 200V 1.2A Single Phase Through Hole D-38 Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 200V 1.1V @ 1.2A
VS-1KAB10E BRIDGE RECT 1P 100V 1.2A D-38 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-Square, D-38 100V 1.2A Single Phase Through Hole D-38 Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 100V 1.1V @ 1.2A
VS-1KAB40E BRIDGE RECT 1P 400V 1.2A D-38 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-Square, D-38 400V 1.2A Single Phase Through Hole D-38 Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 400V 1.1V @ 1.2A
VS-1KAB60E BRIDGE RECT 1P 600V 1.2A D-38 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-Square, D-38 600V 1.2A Single Phase Through Hole D-38 Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 1.1V @ 1.2A