Полупроводники, Диоды, Мостовые выпрямители Microchip Technology SP1F

    • Тип диода
    • Ток утечки
    • Прямое напряжение
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
  • MSCDC50X1201AG
    PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип диода: Three Phase
    • Ток утечки: 200µA @ 1200V
    • Технология: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное пиковое напряжение: 1.2kV
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCDC50H1201AG
    PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип диода: Single Phase
    • Ток утечки: 200µA @ 1200V
    • Технология: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное пиковое напряжение: 1.2kV
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCDC50X701AG
    PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип диода: Three Phase
    • Ток утечки: 200µA @ 700V
    • Технология: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное пиковое напряжение: 700 V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCDC50X1701AG
    PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип диода: Three Phase
    • Ток утечки: 200µA @ 1700V
    • Технология: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное пиковое напряжение: 1.7kV
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCDC50H1701AG
    PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип диода: Single Phase
    • Ток утечки: 200µA @ 1700V
    • Технология: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное пиковое напряжение: 1.7kV
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCDC50H701AG
    PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип диода: Three Phase
    • Ток утечки: 200µA @ 700V
    • Технология: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное пиковое напряжение: 700 V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100