• Рабочая температура
    • Ток утечки
    • Прямое напряжение
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Ток утечки
Прямое напряжение
GBL01 BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL GeneSiC Semiconductor 4-SIP, GBL 100V 4A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 100V 1.1V @ 4A
GBL10 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL GeneSiC Semiconductor 4-SIP, GBL 1kV 4A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 1000V 1.1V @ 4A
GBL02 BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL GeneSiC Semiconductor 4-SIP, GBL 200V 4A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 200V 1.1V @ 4A
GBL005 BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL GeneSiC Semiconductor 4-SIP, GBL 50V 4A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 50V 1.1V @ 4A
GBL06 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL GeneSiC Semiconductor 4-SIP, GBL 600V 4A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 600V 1.1V @ 4A
GBL04 BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL GeneSiC Semiconductor 4-SIP, GBL 400V 4A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 400V 1.1V @ 4A
GBL08 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL GeneSiC Semiconductor 4-SIP, GBL 800V 4A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 800V 1V @ 2A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100