Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Ток утечки
Прямое напряжение
GBJ20005-G BRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A GBJ Comchip Technology 4-SIP, GBJ 50V 20A Single Phase Through Hole GBJ Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 50V 1.05V @ 10A
GBJ2010-G BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ Comchip Technology 4-SIP, GBJ 1kV 20A Single Phase Through Hole GBJ Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 1000V 1.05V @ 10A
GBJ2004-G BRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ Comchip Technology 4-SIP, GBJ 400V 20A Single Phase Through Hole GBJ Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 400V 1.05V @ 10A