Полупроводники, Диоды Microchip Technology D1P
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 150A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 200A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 200A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 200A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 200A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 150A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 150A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 150A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 150A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100