-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSCDC200KK70D1PAG | PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | Microchip Technology | Module | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | D1P | No Recovery Time > 500mA (Io) | 1.8V @ 200A | 700V | 0ns | -40°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 200A (DC) |
| MSCDC150KK170D1PAG | PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | Microchip Technology | Module | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | D1P | No Recovery Time > 500mA (Io) | 1.8V @ 150A | 1700V | 0ns | -40°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 150A (DC) |
| MSCDC200A170D1PAG | PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | Microchip Technology | Module | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | D1P | No Recovery Time > 500mA (Io) | 1.8V @ 200A | 1700V | 0ns | -40°C ~ 175°C | 1 Pair Series Connection | 200A (DC) |
- 10
- 15
- 50
- 100