• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 694
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
JANTXV1N4980US DIODE ZENER 82V 5W D5B Microchip Technology E-MELF Surface Mount ±5% D-5B -65°C ~ 175°C 5W 82V 80 Ohms 2µA @ 62.2V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANS1N4975US/TR VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology SQ-MELF, E Through Hole ±5% D-5B -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 51V 27 Ohms 2µA @ 38.8V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JAN1N4996CUS ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, E Through Hole ±2% D-5B -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 390V 1800 Ohms 2µA @ 297V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JAN1N5551US DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF Microchip Technology SQ-MELF, B 3A Standard Surface Mount D-5B Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 400V 1.2V @ 9A 400V 2µs -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/420
JANS1N4957US ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, E Through Hole ±5% D-5B -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 9.1V 2 Ohms 25µA @ 6.9V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANTX1N4972US DIODE ZENER 39V 5W D5B Microchip Technology E-MELF Surface Mount ±5% D-5B -65°C ~ 175°C 5W 39V 14 Ohms 2µA @ 29.7V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JAN1N4959CUS DIODE ZENER 11V 5W D5B Microchip Technology E-MELF Surface Mount ±2% D-5B -65°C ~ 175°C 5W 11V 2.5 Ohms 10µA @ 8.4V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JAN1N6632CUS ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, E Through Hole ±2% D-5B -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 3.3V 3 Ohms 300µA @ 1V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANTXV1N4993CUS ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, E Through Hole ±2% D-5B -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 300V 950 Ohms 2µA @ 228V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANTX1N4989US/TR VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology E-MELF Surface Mount ±5% D-5B -65°C ~ 175°C 5W 200V 500 Ohms 2µA @ 152V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANS1N4976US ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, E Through Hole ±5% D-5B -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 56V 35 Ohms 2µA @ 42.6V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANTX1N4963US DIODE ZENER 16V 5W D5B Microchip Technology E-MELF Surface Mount ±5% D-5B -65°C ~ 175°C 5W 16V 3.5 Ohms 5µA @ 12.2V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANTXV1N6626US DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B Microchip Technology SQ-MELF, E 1.75A Standard Surface Mount D-5B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 220V 40pF @ 10V, 1MHz 1.35V @ 2A 220V 30ns -65°C ~ 150°C Military, MIL-PRF-19500/590
JANS1N4991US ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, E Through Hole ±5% D-5B -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 240V 650 Ohms 2µA @ 182V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANTXV1N5969CUS RECTIFIER Microchip Technology SQ-MELF, E Through Hole ±2% D-5B -65°C ~ 175°C (TJ) 5W 6.2V 1 Ohms 1mA @ 4.74V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100