-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Коэфициент емкости
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MV31011-P00 | GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 0.5pF @ 4V, 1MHz | 5.5 | C2/C20 | 4000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| MV31026-150A/TR | GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 10pF @ 4V, 1MHz | 13.1 | C2/C20 | 1500 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| MV21003-150A/TR | GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 30V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 0.5pF @ 4V, 1MHz | 3.4 | C0/C30 | 7000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| GC4722-150A/TR | SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 120V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.3pF @ 6V, 1MHz | 10W | 1Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
| GC9704-00 | SI SCHOTTKY NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 10mA (DC) | Schottky | Surface Mount | Chip | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 100nA @ 1V | 0.8pF @ 0V, 1MHz | 600 mV @ 1 mA | 5V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
| MV39002-P2715 | GAAS TVAR NON HERMETIC FLIP CHIP | Microchip Technology | Die | 18V | Single | Surface Mount | Chip | -65°C ~ 150°C | 0.4pF @ 4V, 1MHz | 5.3 | C2/C12 | 4000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| MS8150-P2613 | GAAS SCHOTTKY NON HERMETIC FLIP | Microchip Technology | Die | 3V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 125°C | 15mA | ||||||||||||||
| GC4732-00 | SI LIMITER NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 15V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.15pF @ 6V, 1MHz | 3W | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
| GC1502-00 | SI TVAR NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 30V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 1.2pF @ 4V, 1MHz | 3.4 | C0/C30 | 3800 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| GC4490-150B | SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 750V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 50mA | 0.1pF @ 50V, 1MHz | 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||
| GC4310-01 | SI NIP NON HERMETIC CHIP W LEAD | Microchip Technology | Die | 100V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.06pF @ 10V, 1MHz | 1.5Ohm @ 20mA, 1GHz | |||||||||||||
| GC4701-150B | SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 20V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.15pF @ 6V, 1MHz | 2W | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
| GC15007-150A | SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.2pF @ 20V, 1MHz | 13 | C0/C20 | 1000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| GC4732-150A/TR | SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 15V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.15pF @ 6V, 1MHz | 3W | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
| GC4530-01 | SI NIP NON HERMETIC CHIP W LEAD | Microchip Technology | Die | 300V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.1pF @ 50V, 1MHz | 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100