-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Коэфициент емкости
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GC4731-00 | SI LIMITER NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 15V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.1pF @ 6V, 1MHz | 2W | 2Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
GC4215-150B | SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 100V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 10mA | 0.5pF @ 10V, 1MHz | 350mOhm @ 20mA, 1GHz | ||||||||||||
GC15012-150D | SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 6.8pF @ 20V, 1MHz | 13 | C0/C20 | 400 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
MV31013-150A | GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 1pF @ 4V, 1MHz | 7.7 | C2/C20 | 3000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
KV2133-150A | SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.7pF @ 20V, 1MHz | 850 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||
GC4731-150C | SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 15V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.1pF @ 6V, 1MHz | 2W | 2Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
GC15012-150D/TR | SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 6.8pF @ 20V, 1MHz | 13 | C0/C20 | 400 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
GC6002-150A/TR | SI NOISE NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 14V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 1pF @ 6V, 1MHz | ||||||||||||||
GC4210-154-2 | SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 100V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 10mA | 0.06pF @ 10V, 1MHz | 1.5Ohm @ 20mA, 1GHz | ||||||||||||
GC15006-150E/TR | SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.14pF @ 20V, 1MHz | 13 | C0/C20 | 1200 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
GC4722-150A | SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 120V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.3pF @ 6V, 1MHz | 10W | 1Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
GC4711-00 | SI LIMITER NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 45V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.15pF @ 6V, 1MHz | 3W | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
GC4701-150A | SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 20V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.15pF @ 6V, 1MHz | 2W | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
MV30018-150A/TR | GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 3pF @ 4V, 1MHz | 6 | C2/C20 | 2500 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
MPS4102-013S | SI PIN NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 80V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 100mA | 0.02pF @ 50V, 1GHz | 3W | 2.5Ohm @ 100mA, 1GHz |
- 10
- 15
- 50
- 100