-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Коэфициент емкости
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LSP1000-150A | SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 35V | PIN - Single | Chip | -65°C ~ 125°C | 1A | 0.28pF @ 5V, 1MHz | 500mW | 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz | |||||||||||
GC4225-150B/TR | SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 250V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 10mA | 0.5pF @ 10V, 1MHz | 600mOhm @ 20mA, 1GHz | ||||||||||||
GC4531-00 | SI NIP NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 300V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.25pF @ 50V, 1MHz | 1.2Ohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||
GC2511-150B | SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 15V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.6pF @ 6V, 1MHz | |||||||||||||
MV31021-P00 | GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 3.7pF @ 4V, 1MHz | 11.5 | C2/C20 | 2000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
GC15013-00 | SI TVAR NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 10pF @ 20V, 1MHz | 13 | C0/C20 | 200 @ 4V, 50MHz | GC15000 | |||||||||
GC4211-00 | SI PIN NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 100V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 10mA | 0.1pF @ 10V, 1MHz | 1Ohm @ 20mA, 1GHz | ||||||||||||
GC2532-150A/TR | SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 30V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.8pF @ 6V, 1MHz | |||||||||||||
GC4600-00 | SI PIN NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 1500V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.75pF @ 50V, 1MHz | 300mOhm @ 500mA, 100MHz | |||||||||||||
GC15009-150A | SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.9pF @ 20V, 1MHz | 13 | C0/C20 | 800 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
GC4275-00 | SI PIN NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 70V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 10mA | 0.5pF @ 10V, 1MHz | 500mOhm @ 20mA, 1GHz | ||||||||||||
GC4210-00 | SI PIN NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 100V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 10mA | 0.06pF @ 10V, 1MHz | 1.5Ohm @ 20mA, 1GHz | ||||||||||||
MV21002-P00 | GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 30V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 0.4pF @ 4V, 1MHz | 3.1 | C0/C30 | 7500 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
GC15010-00 | SI TVAR NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 2pF @ 20V, 1MHz | 13 | C0/C20 | 700 @ 4V, 50MHz | GC15000 | |||||||||
GC2521-450A | SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 20V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.6pF @ 6V, 1MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100