-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Коэфициент емкости
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MV31021-150A | GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 3.7pF @ 4V, 1MHz | 11.5 | C2/C20 | 2000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| GC4311-01 | SI NIP NON HERMETIC CHIP W LEAD | Microchip Technology | Die | 100V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.1pF @ 10V, 1MHz | 1Ohm @ 20mA, 1GHz | |||||||||||||
| LSP1005-154-8/TR | SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 50V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 125°C | 5 mA | 0.4pF @ 50V, 1MHz | 250mW | 6.5Ohm @ 5mA, 100MHz | |||||||||||
| GC4531-01 | SI NIP NON HERMETIC CHIP W LEAD | Microchip Technology | Die | 300V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.25pF @ 50V, 1MHz | 1.2Ohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||
| MV21010-190 | GAAS TVAR NON HERMETIC MICROSTRI | Microchip Technology | Die | 30V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 2.2pF @ 4V, 1MHz | 4.6 | C0/C30 | 4000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| MS8250-P2920 | GAAS SCHOTTKY NON HERMETIC FLIP | Microchip Technology | Die | 3V | Schottky - Anti-Parallel | Chip | -55°C ~ 125°C | 15mA | 80pF @ 0V, 1MHz | 7Ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
| MV20010-190 | GAAS TVAR NON HERMETIC MICROSTRI | Microchip Technology | Die | 15V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 2.2pF @ 4V, 1MHz | 3.4 | C0/C15 | 4000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| MV30011-P00 | GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 0.6pF @ 4V, 1MHz | 3.9 | C2/C20 | 4000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| GC4491-150A | SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 750V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 50mA | 0.25pF @ 50V, 1MHz | 1.2Ohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||
| GC9701-00 | SI SCHOTTKY NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 50mA (DC) | Schottky | Surface Mount | Chip | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 100nA @ 25V | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 430mV @ 1mA | 30V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
| KV2113-154-4 | SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 125°C | 0.45pF @ 20V, 1MHz | 1200 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||
| GC4430-00 | SI PIN NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 300V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 50mA | 0.1pF @ 50V, 1MHz | 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||
| GC41873-012S | SI PIN NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 80V | PIN - 1 Pair Series Connection | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.02pF @ 50V, 1MHz | 2.5Ohm @ 100mA, 1GHz | |||||||||||||
| MV31024-150A | GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 6.8pF @ 4V, 1MHz | 12.6 | C2/C20 | 1500 @ 4V, 50MHz | ||||||||||
| MS8150-6498 | GAAS SCHOTTKY NON HERMETIC FLIP | Microchip Technology | Die | Chip |
- 10
- 15
- 50
- 100