-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 11.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 20mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 5 mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 6.5Ohm @ 5mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.25pF @ 50V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 300V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4.6
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Schottky - Anti-Parallel
- Емкость @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 15mA
- Обратное пиковое напряжение: 3V
- Сопротивление @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Коэфициент емкости: 3.4
- Параметры коэфициента емкости: C0/C15
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 3.9
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.25pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 750V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 50mA (DC)
- Прямое напряжение: 430mV @ 1mA
- Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- Ток утечки: 100nA @ 25V
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.45pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 300V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
- Емкость @ Vr, F: 0.02pF @ 50V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 100mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.8pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 12.6
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100