-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Допуск
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Мощность - Макс.
|
Напряжение стабилизации
|
Имеданс (Макс) (Zzt)
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS1N6329C | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±2% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 16V | 12 Ohms | 50nA @ 12V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANS1N6347 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 91V | 270 Ohms | 50nA @ 69V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANS1N6341 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 51V | 85 Ohms | 50nA @ 39V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANS1N4979 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 75V | 55 Ohms | 2µA @ 56V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
| JANS1N6326 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 12V | 7 Ohms | 1µA @ 9V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANS1N4974 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 47V | 25 Ohms | 2µA @ 35.8V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
| JANS1N6637 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 5.1V | 1.5 Ohms | 5µA @ 1V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
| JANTXV1N6355D | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±1% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 200V | 1800 Ohms | 50 nA @ 152 V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANTXV1N6314 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 3.9V | 23 Ohms | 2µA @ 1V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANTXV1N6328 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 15V | 10 Ohms | 50nA @ 11V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| UES1304/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | B, Axial | 5A | Standard | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.25V @ 3A | 200V | 50ns | -55°C ~ 150°C | ||||||||
| JANTX1N6634 | RECTIFIER | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 3.9V | 2 Ohms | 175µA @ 1V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
| JANTX1N6329 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 500mW | 16V | 12 Ohms | 50nA @ 12V | 1.4V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/533 | |||||||
| JANS1N4960 | ZENER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | Through Hole | ±5% | B, Axial | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 12V | 2.5 Ohms | 10µA @ 9.1V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
| 1N5809E3 | RECTIFIER DIODE | Microchip Technology | B, Axial | 6A | Standard | Through Hole | B, Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 875mV @ 4A | 100V | 30ns | -65°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100