-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Допуск
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Мощность - Макс.
|
Напряжение стабилизации
|
Имеданс (Макс) (Zzt)
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UM7302B | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | 200V | PIN - Single | Axial | 0.7pF @ 100V, 1MHz | 4W | 3Ohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||
| UM4006B | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | 600V | PIN - Single | Axial | -65°C ~ 175°C | 3pF @ 100V, 1MHz | 12W | 500mOhm @ 100mA, 100MHz | UM4000 | |||||||||||||
| UMX4002B | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | Axial | ||||||||||||||||||||
| JANTXV1N5190 | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Microchip Technology | B, Axial | 3A | Standard | Through Hole | Axial | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 2µA @ 600V | 1.5V @ 9A | 600V | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/297 | |||||||||||
| UM9441HR2 | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | 100V | PIN - Single | Axial | -55°C ~ 175°C | 10pF @ 50V, 1MHz | ||||||||||||||||
| 1N5385B/TR12 | DIODE ZENER 170V 5W AXIAL | Microchip Technology | T-18, Axial | Through Hole | ±5% | Axial | -65°C ~ 150°C | 5W | 170V | 380 Ohms | 500nA @ 122V | 1.2V @ 1A | ||||||||||||
| UMX4001B | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | Axial | ||||||||||||||||||||
| 1N5767 | SI PIN HEMETIC GLASS | Microchip Technology | Axial | 100V | PIN - Single | Axial | -65°C ~ 175°C | 0.4pF @ 100V, 1MHz | 400mW | 2.5Ohm @ 100mA, 100MHz | 1N5767 | |||||||||||||
| UMX9701 | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | Axial | ||||||||||||||||||||
| HUM2010B | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | 1000V | PIN - Single | Axial | -65°C ~ 175°C | 4pF @ 100V, 1MHz | 13W | 200mOhm @ 500mA, 4MHz | ||||||||||||||
| UM4001E | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | 100V | PIN - Single | Axial | 3pF @ 100V, 1MHz | 12W | 500mOhm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||
| UM4306A | SI PPIN HERMETIC SEAL | Microchip Technology | Axial | 600V | PIN - Single | Axial | 2.2pF @ 100V, 1MHz | 20 W | 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||
| UM9301 | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | Microchip Technology | Axial | 75V | PIN - Single | Axial | -65°C ~ 175°C | 0.8pF @ 0V, 100MHz | 1W | 3Ohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||||
| UM4301A | SI PPIN HERMETIC SEAL | Microchip Technology | Axial | 100V | PIN - Single | Axial | 2.2pF @ 100V, 1MHz | 20 W | 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||
| 1N5824 | DIODE SCHOTTKY 5A 30V TOPHAT | Microchip Technology | Axial | 5A | Schottky | Through Hole | Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10mA @ 30V | 370mV @ 5A | 30V | -65°C ~ 125°C |
- 10
- 15
- 50
- 100