-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N6078 | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | Microchip Technology | A, Axial | 1.3A | Standard | Through Hole | A-PAK | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 150V | 1.76V @ 18.8A | 150V | 30ns | -65°C ~ 155°C | Military, MIL-PRF-19500/503 | |
| JANTX1N5615 | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Microchip Technology | A, Axial | 1A | Standard | Through Hole | A-PAK | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 200V | 45pF @ 12V, 1MHz | 1.6V @ 3A | 200V | 150ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/429 |
| JAN1N6074/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | A, Axial | 3A | Standard | Through Hole | A-PAK | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 100V | 2.04V @ 9.4A | 100V | 30ns | -65°C ~ 155°C | Military, MIL-PRF-19500/503 | |
| JANTXV1N6625/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | A, Axial | 1A | Standard | Through Hole | A-PAK | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1 µA @ 1.1 V | 1.75V @ 1A | 1.1 V | 60ns | -65°C ~ 150°C | Military, MIL-PRF-19500/585 |
- 10
- 15
- 50
- 100