Полупроводники, Диоды Microchip Technology A-MELF

Найдено: 28
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 220V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.2A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 1.2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 500nA @ 220V
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1.1 V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.4A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 1.4A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 4 µA @ 1.1 V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 150V 2.5A A-MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2.5A
    • Прямое напряжение: 975mV @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 2µA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 660V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.2A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 1.2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 500nA @ 660V
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 660V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 660V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/477
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 875mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 1µA @ 150V
    • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 220V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 220V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 440V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.75A
    • Прямое напряжение: 1.35V @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 2µA @ 440V
    • Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2.5A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 2µA @ 100V
    • Емкость @ Vr, F: 3.5pF @ 6V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 100V 1A APKG
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/477
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 875mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 1µA @ 100V
    • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.75V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 1µA @ 1100V
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER UFR,FRR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 880V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.55V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Ток утечки: 500nA @ 880V
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 1A APKG
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/477
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 875mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 1µA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 1A APKG
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/477
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 875mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 1µA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 100V 1A APKG
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/477
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: A-MELF
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 875mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 1µA @ 100V
    • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: