• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 85
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
UES1102E3 RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology Axial 2.5A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 100V 975mV @ 2A 100V 25ns 175°C
JANS1N6621 RECTIFIER DIODE Microchip Technology A, Axial 2A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 400V 10pF @ 10V, 1MHz 1.4V @ 1.2A 400V 45ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/585
JANTX1N4942 DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 200V 1.3V @ 1A 200V 150ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/359
1N6625E3 DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 1000V 1.95V @ 1.5A 1100V 80ns -65°C ~ 150°C
JANS1N5618 RECTIFIER DIODE Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 600V 1.3V @ 3A 600V 2µs -65°C ~ 200°C Military, MIL-PRF-19500/427
UES1102/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology A, Axial 2A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 100V 975mV @ 2A 100V 25ns -55°C ~ 175°C
1N6622E3/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology A, Axial Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.6V @ 2A 30ns
1N6536 DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL Microchip Technology A, Axial 1A (DC) Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 400V 1.5V @ 1A 400V 30ns
1N5619E3/TR STD RECTIFIER Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 400V 25pF @ 12V, 1MHz 1.6V @ 3A 600V -65°C ~ 200°C Military, MIL-PRF-19500/429
1N5617E3/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 400V 35pF @ 12V, 1MHz 800mV @ 3A 400V 150ns -65°C ~ 175°C
UZ8833 VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology Axial Through Hole ±10% A, Axial -65°C ~ 175°C 1W 33V 45 Ohms 500nA @ 25.1V
UES1003/TR RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology A, Axial 1A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 975mV @ 1A 150V 25ns -55°C ~ 175°C
UES1106HR2 RECTIFIER Microchip Technology A, Axial 2A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.25V @ 1A 400V 50ns
UES1103E3 RECTIFIER UFR,FRR Microchip Technology Axial 2.5A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 150V 975mV @ 2A 150V 25ns 175°C
UES1102 RECTIFIER Microchip Technology A, Axial 2A Standard Through Hole A, Axial Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 100V 975mV @ 2A 100V 25ns -55°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100