-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GC9952-6LP | SI SCHOTTKY NON HERMETIC PLASTIC | Microchip Technology | 6-UFDFN Exposed Pad | 3V | Schottky - Single | 6-QFN (1.6x1.6) | -55°C ~ 150°C | 0.5pF @ 0V, 1MHz | 15Ohm @ 10mA, 1MHz | |
| GC4701-6LP | SI LIMITER NON HERMETIC PLASTIC | Microchip Technology | 6-UFDFN Exposed Pad | 30V | PIN - Single | 6-QFN (1.6x1.6) | 0.4pF @ 10V, 1MHz | 33 W | 2Ohm @ 10mA, 1GHz |
- 10
- 15
- 50
- 100