Полупроводники, Диоды Microchip Technology 6-QFN (1.6x1.6)
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 6-QFN (1.6x1.6)
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 3V
- Сопротивление @ If, F: 15Ohm @ 10mA, 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 6-QFN (1.6x1.6)
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 10V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 33 W
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Сопротивление @ If, F: 2Ohm @ 10mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100