-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ES1KE-TP | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | Micro Commercial Co | DO-214AC, SMA | 1A | Standard | Surface Mount | DO-214AC (SMAE) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 800V | 45pF @ 4V, 1MHz | 1.7V @ 1A | 800V | 75ns | -50°C ~ 150°C |
| ES1JE-TP | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Micro Commercial Co | DO-214AC, SMA | 1A | Standard | Surface Mount | DO-214AC (SMAE) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 600V | 45pF @ 4V, 1MHz | 1.35V @ 1A | 600V | 75ns | -50°C ~ 150°C |
| RM2000E-TP | DIODE GEN PURP 2KV 500MA DO214 | Micro Commercial Co | DO-214AC, SMA | 500mA | Standard | Surface Mount | DO-214AC (SMAE) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 2000V | 30pF @ 4V, 1MHz | 3V @ 500mA | 2000V | -55°C ~ 150°C | |
| GS1AE-TP | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | Micro Commercial Co | DO-214AC, SMA | 1A | Standard | Surface Mount | DO-214AC (SMAE) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 50V | 15pF @ 4V, 1MHz | 50V | 2µs | -55°C ~ 150°C |
- 10
- 15
- 50
- 100