-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBJ5010 | RECTIFIER BRIDGE 50A 1000V GBJ | MDD | 4-SIP, GBJ | 1kV | 50A | Single Phase | Through Hole | GBJ | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 10µA @ 1000V | 1.1V @ 25A | GBJ |
| GBJ2510 | RECTIFIER BRIDGE 25A 1000V GBJ | MDD | 4-SIP, GBJ | 1kV | 25A | Single Phase | Through Hole | GBJ | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 10µA @ 1000V | 1.1V @ 12.5A | GBJ |
| GBJ1510 | RECTIFIER BRIDGE 15A 1000V GBJ | MDD | 4-SIP, GBJ | 1kV | 15A | Single Phase | Through Hole | GBJ | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 10µA @ 1000V | 1.05V @ 7.5A | GBJ |
| GBJ3510 | RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V GBJ | MDD | 4-SIP, GBJ | 1kV | 35A | Single Phase | Through Hole | GBJ | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 10µA @ 1000V | 1.05V @ 17.5A | GBJ |
- 10
- 15
- 50
- 100