• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 97
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
DSEP2X31-06B DIODE MODULE 600V 30A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250µA @ 600V 2.49V @ 30A 600V 30ns 2 Independent 30A HiPerFRED™
LSIC2SD120N80PA SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2X40A IXYS SOT-227-4, miniBLOC Silicon Carbide Schottky Chassis Mount SOT-227B No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 1200V 1.8V @ 40A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 2 Independent 75A (DC)
DSEI2X121-02A DIODE MODULE 200V 123A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 200V 1.1V @ 120A 200V 50ns 2 Independent 123A
LSIC2SD120N120PA SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2X60A IXYS SOT-227-4, miniBLOC Silicon Carbide Schottky Chassis Mount SOT-227B No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 1200V 1.8V @ 60A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 2 Independent 120A (DC)
DSEP2X31-03A DIODE MODULE 300V 30A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250µA @ 300V 1.23V @ 30A 300V 30ns 2 Independent 30A HiPerFRED™
DSA300I45NA DIODE SCHOTTKY 45V 300A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC 300A Schottky Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3mA @ 45V 16500pF @ 5V, 1MHz 840mV @ 300A 45V
DMA200YA1600NA PWRDIODEDISC-RECTIFIER SOT-227B( IXYS SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227B Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 1600V 1.23V @ 70A 1600V -40°C ~ 150°C 2 Pair Common Anode 200A DMA200YA1600NA
DPF240X400NA DIODE MODULE 400V 120A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 400V 1.25V @ 120A 400V 45ns 2 Independent 120A HiPerFRED²™
DCG85X1200NA DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC Silicon Carbide Schottky Chassis Mount SOT-227B No Recovery Time > 500mA (Io) 400µA @ 1200V 1.8V @ 40A 1200V 0ns -40°C ~ 175°C 2 Independent 43A
DSEK300-06A PWR DIODE DISC-FRED SOT-227UI(MI IXYS SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3mA @ 600V 1.17V @ 150A 600V 60ns -40°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 150A DSEK300-06A
DPF120X200NA DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC 120A Standard Chassis Mount SOT-227B Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 200V
DSS2X41-01A DIODE MODULE 100V 40A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC Schottky Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 100V 880mV @ 40A 100V 2 Independent 40A
DSS2X121-0045B DIODE MODULE 45V 120A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC Schottky Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120mA @ 45V 620mV @ 120A 45V 2 Independent 120A
DSEI2X61-10B DIODE MODULE 1KV 60A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3mA @ 1000V 2.3V @ 60A 1000V 50ns 2 Independent 60A FRED
DSEP2X31-06A DIODE MODULE 600V 30A SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227B Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250µA @ 600V 2.49V @ 30A 600V 30ns 2 Independent 30A HiPerFRED™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100