-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GUO40-12NO1 | BRIDGE RECT 3P 1.2KV 40A GUFP | IXYS | 5-SIP | 1.2kV | 40A | Three Phase | Through Hole | GUFP | Standard | -40°C ~ 175°C (TJ) | 40µA @ 1200V | 1.28V @ 30A |
| GUO40-08NO1 | BRIDGE RECT 3PHASE 800V 40A GUFP | IXYS | 5-SIP | 800V | 40A | Three Phase | Through Hole | GUFP | Standard | -40°C ~ 175°C (TJ) | 40µA @ 800V | 1.28V @ 30A |
| GUO40-16NO1 | BRIDGE RECT 3P 1.6KV 40A GUFP | IXYS | 5-SIP | 1.6kV | 40A | Three Phase | Through Hole | GUFP | Standard | -40°C ~ 175°C (TJ) | 40µA @ 1600V | 1.28V @ 30A |
| DMA40U1800GU | POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER | IXYS | 5-SIP | 1.8kV | 40A | Single Phase | Through Hole | GUFP | Standard | -40°C ~ 175°C (TJ) | 40µA @ 1800V | 1.28V @ 30A |
| DNA40U2200GU | POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER | IXYS | 5-SIP | 2.2kV | 40A | Three Phase | Through Hole | GUFP | Standard | -40°C ~ 175°C (TJ) | 40µA @ 2200V | 1.28V @ 30A |
- 10
- 15
- 50
- 100