-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MDMA660U1600PTEH | BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E | IXYS | E3 | 1.6kV | 660A | Three Phase | Chassis Mount | E3 | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | 200µA @ 1.6kV | 1.95V @ 660A |
| MDMA900U1600PTEH | BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E | IXYS | E3 | 1.6kV | 900A | Three Phase | Chassis Mount | E3 | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | 200µA @ 1.6kV | 1.92V @ 900A |
| MDNA660U2200PTEH | BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E | IXYS | E3 | 2.2kV | 660A | Three Phase | Chassis Mount | E3 | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | 400µA @ 2.2kV | 1.95V @ 660A |
- 10
- 15
- 50
- 100