-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Сопротивление @ If, F
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BA89202VH6327XTSA1 | SILICON RF SWITCHING DIODE | International Rectifier | SC-79, SOD-523 | 35V | Standard - Single | PG-SC79-2 | 150°C (TJ) | 100mA | 1.1pF @ 3V, 1MHz | 500mOhm @ 10mA, 100MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100