-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 | LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311 | Infineon Technologies | Module | 1.2kV | 20A | Single Phase | Chassis Mount | AG-EASY1B-1 | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | 58 µA @ 1200 V | 1.85V @ 20A | CoolSiC™+ |
| DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 | LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311 | Infineon Technologies | Module | 1.2kV | 40A | Single Phase | Chassis Mount | AG-EASY1B-1 | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | 116 µA @ 1200 V | 1.85 V @ 40 A | CoolSiC™+ |
| DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 | LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311 | Infineon Technologies | Module | 1.2kV | 60A | Single Phase | Chassis Mount | AG-EASY1B-1 | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | 174 µA @ 1200 V | 1.85V @ 60A | CoolSiC™+ |
- 10
- 15
- 50
- 100