- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Коэфициент емкости
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DD340N16SHPSA1 | DIODE MODULE GP 1600V 330A | Infineon Technologies | Module | Standard | Chassis Mount | Module | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 1600V | 1.31V @ 1600A | 1600V | -40°C ~ 130°C | 1 Pair Series Connection | 330A | |||||||||||||
BAT 64-02W E6327 | DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SCD80-2 | Infineon Technologies | SC-80 | 120mA | Schottky | Surface Mount | SCD-80 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 2µA @ 30V | 6pF @ 1V, 1MHz | 750mV @ 100mA | 40V | 5ns | 150°C (Max) | ||||||||||||
DZ1070N26KHPSA1 | DIODE GEN PURP 2.6KV 1070A MOD | Infineon Technologies | Module | 1070A | Standard | Chassis Mount | Module | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 150mA @ 2600V | 1.52V @ 3400A | 2600V | -40°C ~ 150°C | ||||||||||||||
BAR63-03WE6327 | BAR63 - PIN DIODE | Infineon Technologies | SC-76, SOD-323 | 50V | PIN - Single | PG-SOD323-2 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 250mW | ||||||||||||||||
65DN06B02ELEMPRXPSA1 | DIODE GEN PURP 600V | Infineon Technologies | DO-200AB, B-PUK | 15130A | Standard | Chassis Mount | BG-D-ELEM-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 100mA @ 600V | 890 mV @ 8000 A | 600V | 180°C (Max) | ||||||||||||||
D841S45TXPSA1 | RECTIFIER DIODE DISC | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||
BAV70E6327HTSA1 | DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23 | Infineon Technologies | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | Surface Mount | PG-SOT23 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 150nA @ 70V | 1.25V @ 150mA | 80V | 4ns | 150°C (Max) | 1 Pair Common Cathode | 200mA (DC) | ||||||||||||
IDW30C65D2XKSA1 | DIODE 650V 30A RAPID2 TO247-3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | Standard | Through Hole | PG-TO247-3-1 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 40µA @ 650V | 2.2V @ 15A | 650V | 32ns | -40°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 15A | Rapid 2 | |||||||||||
BAT6404WH6327XTSA1 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 | Infineon Technologies | SC-70, SOT-323 | Schottky | Surface Mount | PG-SOT323 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 2µA @ 30V | 750mV @ 100mA | 40V | 5ns | 150°C (Max) | 1 Pair Series Connection | 120mA | Automotive, AEC-Q101, BAT64 | |||||||||||
BB 555-02V E7902 | DIODE VAR CAP 30V 20MA SC-79 | Infineon Technologies | SC-79, SOD-523 | 30V | Single | Surface Mount | PG-SC79-2 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2.3pF @ 28V, 1MHz | 9.8 | C1/C28 | |||||||||||||||
BB69C-02V | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||
BAT24-02LSE6327 | RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | Infineon Technologies | 0201 (0603 Metric) | 110mA (DC) | Schottky | Surface Mount | PG-TSSLP-2-1 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 5µA @ 1V | 230pF @ 0V, 1MHz | 410mV @ 10mA | 4V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
BAR5003WE6327HTSA1 | RF DIODE PIN 50V 250MW SOD323-2 | Infineon Technologies | SC-76, SOD-323 | 50V | PIN - Single | PG-SOD323-2 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.4pF @ 5V, 1MHz | 250mW | 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||
IDP08E65D2XKSA1 | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 | Infineon Technologies | TO-220-2 | 8A | Standard | Through Hole | TO-220-2 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 40µA @ 650V | 2.3V @ 3A | 650V | 40ns | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
IDL08G65C5XUMA1 | DIODE SCHOTTKY 650V 8A VSON-4 | Infineon Technologies | 4-PowerTSFN | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-VSON-4 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 140µA @ 650V | 250pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 150°C | CoolSiC™+ |
- 10
- 15
- 50
- 100