• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1755
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Скорость
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
BAT 15-02LS E6327 RF DIODE SCHOTTKY 4V TSSLP-2 Infineon Technologies 0201 (0603 Metric) 4V Schottky - Single PG-TSSLP-2-1 110mA
IDP06E60XKSA1 RECTIFIER DIODE, 14.7A, 600V Infineon Technologies
D4201N18TS01VFXPSA1 DIODE MODULE Infineon Technologies DO-200AE 6010A Standard Chassis Mount BG-D12035K-1 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 200mA @ 2200V 1V @ 4000A 2200V -40°C ~ 160°C
IDH10S120AKSA1 DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 Infineon Technologies TO-220-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole PG-TO220-2-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 240µA @ 1200V 500pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C CoolSiC™+
BA89202VH6127XTSA1 RF DIODE STANDARD 35V SC79-2 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 35V Standard - Single PG-SC79-2 150°C (TJ) 100mA 1.1pF @ 3V, 1MHz 500mOhm @ 10mA, 100MHz
BAT54WE6327 RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY Infineon Technologies SC-70, SOT-323 200mA (DC) Schottky Surface Mount PG-SOT323-3 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 2µA @ 25V 10pF @ 1V, 1MHz 800mV @ 100mA 30V 5ns 150°C
DZ600N14KHPSA1 DIODE GEN PURP 1.4KV 735A MODULE Infineon Technologies Module 735A Standard Chassis Mount Module Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 40mA @ 1400V 1.4V @ 2200A 1400V -40°C ~ 150°C
BAR 90-098L4 E6327 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7 Infineon Technologies 4-XFDFN 80V PIN - 2 Independent PG-TSLP-4-7 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 800mOhm @ 10mA, 100MHz
BBY5802VH6327XTSA1 DIODE TUNING 10V 20MA SC79 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 10V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 5.5pF @ 6V, 1MHz 3.5 C1/C4
BA 892 E6127 RF DIODE STANDARD 35V SCD80 Infineon Technologies SC-80 35V Standard - Single SCD-80 150°C (TJ) 100mA 1.1pF @ 3V, 1MHz 500mOhm @ 10mA, 100MHz
BA592E6327HTSA1 RF DIODE STANDARD 35V SOD323-2 Infineon Technologies SC-76, SOD-323 35V Standard - Single PG-SOD323-2 150°C (TJ) 100mA 1.1pF @ 3V, 1MHz 500mOhm @ 10mA, 100MHz
BAT54-04E6327 RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky Surface Mount PG-SOT23-3-3 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 2µA @ 25V 800mV @ 100mA 30V 5ns 150°C 1 Pair Series Connection 200mA (DC)
D475N36BXPSA1 DIODE GEN PURP 3.6KV 475A Infineon Technologies DO-205AA, DO-8, Stud 475A Standard Stud Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 40mA @ 3600V 3600V -40°C ~ 160°C
MMBD7000LT1 SILICON SWITCHING DIODE ARRAY Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Standard Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3µA @ 100V 1.1V @ 100mA 100V 4ns -55°C ~ 150°C 1 Pair Series Connection 200mA (DC)
D820N28TXPSA1 DIODE GEN PURP 2.8KV 820A Infineon Technologies DO-200AA, A-PUK 820A Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 40mA @ 2800V 1.25V @ 750A 2800V -40°C ~ 180°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100