• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1755
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Скорость
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
BB857H7902XTSA1 DIODE TUNING 30V 20MA SCD80 Infineon Technologies SC-80 30V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 0.52pF @ 28V, 1MHz 12.7 C1/C28
BAV99SE6433HTMA1 DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363 Infineon Technologies 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Standard Surface Mount PG-SOT363-PO Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 150nA @ 70V 1.25V @ 150mA 80V 4ns 150°C (Max) 2 Pair Series Connection 200mA (DC)
BA892H6433XTMA1 RF DIODE STANDARD 35V SCD80 Infineon Technologies SC-80 35V Standard - Single SCD-80 150°C (TJ) 100mA 1.1pF @ 3V, 1MHz 500mOhm @ 10mA, 100MHz
D3501N40TXPSA1 DIODE GEN PURP 4KV 4870A Infineon Technologies DO-200AE 4870A Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 100mA @ 4000V 1.27V @ 4000A 4000V -40°C ~ 160°C
IDP06E60 DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO220 Infineon Technologies TO-220-2 14.7A (DC) Standard Through Hole PG-TO220-2-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 600V 2V @ 6A 600V 70ns -55°C ~ 175°C
BAS7007WH6327XTSA1 DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT343 Infineon Technologies SC-82A, SOT-343 Schottky Surface Mount PG-SOT343-4-1 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 100nA @ 50V 1V @ 15mA 70V 100ps 150°C (Max) 2 Independent 70mA (DC)
BB68902VH7902XTSA1 DIODE TUNING 30V 20MA SC79 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.9pF @ 28V, 1MHz 23.2 C1/C28
BAL74E6327 SILICON SWITCHING DIODE Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mA (DC) Standard Surface Mount PG-SOT23 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100nA @ 50V 2pF @ 0V, 1MHz 1V @ 100mA 50V 4ns -65°C ~ 150°C
DD82S10KHPSA1 DIODE MODULE GP 100V 96A Infineon Technologies Module Standard Chassis Mount Module Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 40mA @ 100V 1.55V @ 300A 100V -40°C ~ 150°C 1 Pair Series Connection 96A
BB66402VE7902 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Infineon Technologies
BAV 70S E6433 DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363 Infineon Technologies 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Standard Surface Mount PG-SOT363-PO Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 150nA @ 70V 1.25V @ 150mA 80V 4ns 150°C (Max) 2 Pair Common Cathode 200mA (DC)
SDT06S60 DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2 Infineon Technologies TO-220-2 6A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole PG-TO220-2-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 200µA @ 600V 300pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 6A 600V 0ns -55°C ~ 175°C CoolSiC™+
DD89N08KKHPSA1 DIODE ARRAY MOD 1200V 140A Infineon Technologies
IDL02G65C5XUMA1 DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4 Infineon Technologies 4-PowerTSFN 2A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount PG-VSON-4 No Recovery Time > 500mA (Io) 35µA @ 650V 70pF @ 1V, 1MHz 1.7V @ 2A 650V 0ns -55°C ~ 175°C CoolSiC™+
SIDC04D60F6X1SA3 DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER Infineon Technologies Die 9A (DC) Standard Surface Mount Sawn on foil Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 27µA @ 600V 1.6V @ 9A 600V -40°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100