- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Коэфициент емкости
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS 16-02V E6327 | DIODE GEN PURP 80V 200MA SC79-2 | Infineon Technologies | SC-79, SOD-523 | 200mA (DC) | Standard | Surface Mount | PG-SC79-2 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 1µA @ 75V | 2pF @ 0V, 1MHz | 1.25V @ 150mA | 80V | 4ns | 150°C (Max) | ||||||||||||
| BAR63-05WH6327 | PIN DIODE, 50V V(BR) | Infineon Technologies | SC-70, SOT-323 | 50V | PIN - 1 Pair Common Cathode | PG-SOT323-3 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 250mW | ||||||||||||||||
| BA595E6359HTMA1 | RF DIODE PIN 50V SC79-2 | Infineon Technologies | SC-79, SOD-523 | 50V | PIN - Single | PG-SC79-2-1 | 150°C (TJ) | 50mA | 0.6pF @ 10V, 1MHz | 7Ohm @ 10mA, 100MHz | Automotive, AEC-Q101 | |||||||||||||||
| IDW40G65C5B | IDW40G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIOD | Infineon Technologies | TO-247-3 | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO247-3-41 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 210µA @ 650V | 1.7V @ 20A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 20A (DC) | ||||||||||||
| D2450N07TXPSA1 | DIODE GEN PURP 700V 2450A | Infineon Technologies | DO-200AB, B-PUK | 2450A | Standard | Chassis Mount | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 50mA @ 700V | 880mV @ 2000A | 700V | -40°C ~ 180°C | |||||||||||||||
| AIDW30E60 | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2 | Infineon Technologies | TO-220-2 | 27A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 420V | 594pF @ 1V, 1MHz | 1.35V @ 12A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
| BAS125-04WE6327 | RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | Infineon Technologies | SC-70, SOT-323 | Schottky | Surface Mount | PG-SOT323-3 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 150nA @ 25V | 950mV @ 35mA | 25V | 150°C | 1 Pair Series Connection | 100mA (DC) | |||||||||||||
| BAT6404E6327 | RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | Infineon Technologies | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Surface Mount | PG-SOT23 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 2µA @ 30V | 750mV @ 100mA | 40V | 5ns | 150°C (Max) | 1 Pair Series Connection | 120mA | ||||||||||||
| IDH02SG120XKSA1 | DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 | Infineon Technologies | TO-220-2 | 2A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 48µA @ 1200V | 125pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 2A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | |||||||||||
| SDP06S60 | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220AB | Infineon Technologies | TO-220-3 | 6A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-3-1 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 600V | 300pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 6A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
| BAT5406E6327HTSA1 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23 | Infineon Technologies | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Surface Mount | PG-SOT23 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 2µA @ 25V | 800mV @ 100mA | 30V | 5ns | 150°C (Max) | 1 Pair Common Anode | 200mA (DC) | ||||||||||||
| D126A45CXPSA1 | DIODE GEN PURP 4.5KV 200A | Infineon Technologies | DO-205AA, DO-8, Stud | 200A | Standard | Stud Mount | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 30mA @ 4500V | 4500V | -40°C ~ 160°C | ||||||||||||||||
| BAR81WE6327BTSA1 | DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4 | Infineon Technologies | SC-82A, SOT-343 | 30V | Standard - Single | PG-SOT343-3D | 150°C (TJ) | 100mA | 0.9pF @ 3V, 1MHz | 100mW | 1Ohm @ 5mA, 100MHz | |||||||||||||||
| IDV20E65D1XKSA1 | DIODE GP 650V 28A TO220-2FP | Infineon Technologies | TO-220-2 Full Pack | 28A (DC) | Standard | Through Hole | PG-TO220-2 Full Pack | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 40µA @ 650V | 1.7V @ 20A | 650V | 42ns | -40°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100