Полупроводники, Диоды Infineon Technologies BG-PB50-1

    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • DD261N22KTIMHPSA1
    THYR / DIODE MODULE DK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: BG-PB50-1
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2200V
    • Прямое напряжение: 1.42V @ 800A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 40mA @ 2200V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    • Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 260A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100