• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1755
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Скорость
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
D452N12EVFXPSA1 DIODE GEN PURP 1.2KV 450A FL54 Infineon Technologies Nonstandard 450A Standard Screw Mount FL54 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 50mA @ 1200V 1200V -40°C ~ 180°C
BAS4005E6433HTMA1 DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23 Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky Surface Mount PG-SOT23 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1µA @ 30V 1V @ 40mA 40V 100ps 150°C (Max) 1 Pair Common Cathode 120mA (DC)
D1230N16TXPSA1 DIODE GEN PURP 1.6KV 1230A Infineon Technologies DO-200AA, A-PUK 1230A Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 50mA @ 1600V 1.063V @ 800A 1600V -40°C ~ 180°C
SIDC07D60F6X1SA5 DIODE SWITCHING 600V WAFER Infineon Technologies Die 22.5A (DC) Standard Surface Mount Die Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 27µA @ 600V 1.6V @ 22.5A 600V -40°C ~ 175°C
GATELEADWH406XPSA1 STD THYR/DIODEN DISC Infineon Technologies
BB639CE7904HTSA1 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323 Infineon Technologies SC-76, SOD-323 30V Single Surface Mount PG-SOD323-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.75pF @ 28V, 1MHz 15.3 C1/C28
BAS 52-02V E6433 DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 750mA (DC) Schottky Surface Mount PG-SC79-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 45V 10pF @ 10V, 1MHz 600mV @ 200mA 45V 150°C (Max)
SDD04S60 DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3 Infineon Technologies TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 4A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount PG-TO252-3-11 No Recovery Time > 500mA (Io) 200µA @ 600V 150pF @ 0V, 1MHz 1.9V @ 4A 600V 0ns -55°C ~ 175°C CoolSiC™+
DDB6U104N16RRPB37BPSA1 BRIDGE RECT 3P 1.6KV 35A ECONO2 Infineon Technologies Module 1.6kV 35A Three Phase Chassis Mount AG-ECONO2-7 Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 5mA @ 1600V 2.15V @ 35A EconoPACK™2
BAW78B-E6327 RECTIFIER DIODE, 1A Infineon Technologies
IDW40E65D2FKSA1 DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3 Infineon Technologies TO-247-3 80A Standard Through Hole PG-TO247-3-1 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40µA @ 650V 2.3V @ 40A 650V 75ns -40°C ~ 175°C
D1461S45TXPSA2 DIODE GEN PURP D10026K-1 Infineon Technologies DO-200, Variant 1720A Standard Chassis Mount BG-D10026K-1 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 200mA @ 4500V -40°C ~ 140°C
BAR9002ELSE6327XTSA1 RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2 Infineon Technologies 0201 (0603 Metric) 80V PIN - Single PG-TSSLP-2-3 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 1V, 1MHz 250mW 800mOhm @ 10mA, 100MHz
BAR65-03WE6327 BAR65 - PIN DIODE Infineon Technologies
DD500S33HE3BOSA1 MODULE DIODE IHVB130-3 Infineon Technologies Module Standard Chassis Mount AG-IHVB130-3 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 500A @ 1800V 3.85V @ 500A 3300V -40°C ~ 150°C 2 Independent 500A (DC)
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100