• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 184
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
G52YT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A SMA Global Power Technology-GPT DO-214AC, SMA 5.8A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount SMA No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 116.75pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 2A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S12015H SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 2-P Global Power Technology-GPT TO-220-2 Full Pack 21A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 1700pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 15A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
G5S12040PP SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 2-P Global Power Technology-GPT TO-247-2 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AC No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 1200V 1.7V @ 40A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Anode 115A (DC)
G4S06508QT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN8* Global Power Technology-GPT 4-PowerTSFN 34A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount 4-DFN (8x8) No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 395pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S06508A SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN Global Power Technology-GPT TO-220-2 25.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220AC No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 550pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S06510B SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 3-PI Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 1.7V @ 5A 650V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 27A (DC)
G3S06512B SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 1.7V @ 6A 650V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 27A (DC)
G4S06508JT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN Global Power Technology-GPT TO-220-2 Isolated Tab 23.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220ISO No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 395pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G5S06510HT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI Global Power Technology-GPT TO-220-2 Full Pack 23.8A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G4S06516BT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 1.7V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 25.9A (DC)
G3S06516B SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 1.7V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 25.5A (DC)
G5S06508PT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN Global Power Technology-GPT TO-247-2 31.2A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AC No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 550pF @ 0V, 1MHz 1.5V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G5S06508DT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN Global Power Technology-GPT TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 32A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-263 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 550pF @ 0V, 1MHz 1.5V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S06502D SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN Global Power Technology-GPT TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 9A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-263 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 123pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 2A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G5S12020BM SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 30µA @ 1200V 1.7V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 33A (DC)
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100